稀磁半导体

作品数：451被引量：639H指数：10
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稀磁半导体Cr掺杂CdS纳米结构及磁性能研究
《无机盐工业》2025年第3期50-57,共8页张珠峰 任银拴 
国家自然科学基金项目(11864032);贵州省基础研究计划项目(自然科学类)([2020]1Y208);庆移通学院高等教育教学改革研究项目(22JG322)。
针对稀磁半导体纳米材料在电子元器件、半导体芯片、集成电路有广泛的应用,基于溶剂热法,在180℃下,以CdO、S粉和六水合氯化铬(CrCl_(3)·6H_(2)O)为原料,乙醇胺、乙二胺为有机溶剂,用溶剂热法合成具有室温铁磁性Cr掺杂CdS纳米结构的稀...
关键词：Cr掺杂CdS 纳米结构 铁磁性 溶剂热 
AlN:Er^(3+)松树状纳米结构:发光与磁性多功能材料
《物理学报》2025年第6期201-212,共12页丁昕 田子峰 王秋实 刘才龙 崔航 
国家重点研发计划(批准号:2023YFA1406200);国家自然科学基金(批准号:11874174)资助的课题.
采用直流电弧等离子体法,以Al粉和Er_(2)O_(3)粉为原料,在氮气环境下,成功制备出了具有松树状纳米结构的Er^(3+)掺杂AlN(AlN:Er^(3+))材料.通过X射线衍射、X射线光电子能谱、能量色散光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨率透...
关键词：氮化铝 光致发光 温敏 稀磁半导体 
过渡金属掺杂CeO_(2)基稀磁半导体铁磁性能的研究进展
《微纳电子技术》2024年第6期22-30,共9页马勇 石定坤 李玉锋 高湉 
上海市自然科学基金资助项目(16ZR1413600)。
近年来过渡金属掺杂稀磁半导体材料CeO_(2)被大量研究并且取得了许多重要成果。对其铁磁性及起源进行了简单阐述,重点对不同摩尔分数的过渡金属掺杂对CeO_(2)铁磁性的影响进行了介绍,系统介绍了未掺杂和掺杂过渡金属Mn、Fe、Co,以及不...
关键词：自旋电子学 CeO_(2) 稀磁半导体 室温铁磁性 掺杂 
过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料的研究
《有色金属（冶炼部分）》2024年第3期I0001-I0001,共1页李明 
磁性半导体材料在电子学和磁性存储器等领域具有重要应用价值.过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料是一类备受关注的材料,其具有高居里温度、大磁矩和窄带隙等特性,主要应用在磁性存储器、磁性传感器和磁性逻辑器件等领域.过渡金属元素的...
关键词：过渡金属元素 过渡金属掺杂 材料性能 磁性传感器 高居里温度 光学性质 光电器件 磁性质 
面向应用的新一代稀磁半导体研究进展被引量：1
《物理学报》2024年第1期9-22,共14页彭毅 赵国强 邓正 靳常青 
国家重点研发计划(批准号:2022YFA1403900);国家自然科学基金(批准号:11974407);中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划(批准号:YSBR-030);中国科学院青年促进会(批准号:2020007)资助的课题。
稀磁半导体具有能同时调控电荷与自旋的特性,是破解摩尔定律难题的候选材料之一.我们团队率先提出了稀磁半导体中自旋和电荷掺杂分离的机制,探索并研制了新一代稀磁半导体材料,为突破经典稀磁半导体材料的制备瓶颈提供了有效解决方案.以...
关键词：新一代稀磁半导体 自旋电荷掺杂分离 高居里温度 多组合异质结 
过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料的研究进展
《微纳电子技术》2023年第12期1883-1891,共9页张晨 马勇 高湉 
上海市自然科学基金资助项目(16ZR1413600)。
对近年来稀磁半导体材料的应用前景及过渡金属掺杂CdO材料的室温铁磁性研究进展进行了简单阐述。重点对不同过渡金属掺杂剂及其浓度对CdO磁性能的影响进行了介绍,并从近几年国内外研究中未掺杂、过渡金属掺杂、过渡金属共掺杂以及不同...
关键词：自旋电子学 CDO 稀磁半导体 室温铁磁性 过渡金属 
光场辐照下稀磁半导体/半导体超晶格中自旋电子输运特性研究被引量：1
《物理学报》2023年第22期248-254,共7页李春雷 郑军 王小明 徐燕 
国家自然科学基金(批准号:12174038)资助的课题。
基于单电子有效质量近似理论和传递矩阵方法,理论研究了稀磁半导体/半导体超晶格结构中电子的自旋极化输运特性.主要讨论了光场和磁场联合调制对自旋极化输运的影响,以及不同自旋电子在该超晶格结构中的隧穿时间.理论和数值计算结果表明...
关键词：自旋极化输运 稀磁半导体/半导体超晶格 隧穿时间 
基于XPS与XAS的稀磁半导体GaMnN电子结构研究
《原子与分子物理学报》2023年第5期182-186,共5页胡友昊 吴文静 
采用基于同步辐射技术的X射线光电子能谱(XPS)与X射线吸收谱(XAS)测试由金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的不同Mn掺杂浓度的稀磁半导体GaMnN薄膜的电子结构,探究Mn掺杂浓度对磁性原子Mn周围的局域环境和电子态等方面的影响,并阐述...
关键词：GAMNN 电子结构 X射线光电子能谱 X射线吸收谱 
过渡金属掺杂LiMgAs基新型稀磁半导体的磁电性质研究
《当代化工研究》2023年第12期27-29,共3页罗一瑛 张伟华 黄靖 贾梦蝶 丁守兵 
采用第一性原理方法,计算并分析TM(TM=V,Cr,Mn,Fe)掺杂LiMgAs体系的能带结构,发现V、Cr、Mn的掺杂使LiMgAs表现半金属性,其中Cr掺杂LiMgAs的半金属能隙最大为0.610eV,具有最稳定的半金属性。实验上,成功合成Li(Mg_(0.97)Cr_(0.03))As晶...
关键词：Li(Mg_(1-x)Cr_x)As 第一性原理 能带结构 居里温度 
Fe掺杂的GaN稀磁半导体磁性分析
《集成电路应用》2023年第5期34-35,共2页郭俊梅 刘科敏 王锦仁 孙琳 
石家庄铁道大学四方学院2022年科研专项资金资助项目(K202209)。
阐述在稀磁半导体材料中,Fe离子浓度越高,稀磁半导体的晶体质量以及晶格取向所受到的影响就越严重。探讨Fe掺杂浓度的稀磁半导体材料,在任何温度下都能够展现出比较强的铁磁性。
关键词：半导体材料 FE掺杂 GAN 稀磁半导体磁性 
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