Fe掺杂的GaN稀磁半导体磁性分析  

Analysis of Magnetic Properties of Fe Doped GaN Dilute Magnetic Semiconductors

作　　者：郭俊梅 刘科敏 王锦仁 孙琳 GUO Junmei;LIU Kemin;WANG Jinren;SUN Lin(Sifang College,Shijiazhuang Railway University,Hebei 051133,China)

机构地区：[1]石家庄铁道大学四方学院,河北051133

出　　处：《集成电路应用》2023年第5期34-35,共2页Application of IC

基　　金：石家庄铁道大学四方学院2022年科研专项资金资助项目(K202209)。

摘　　要：阐述在稀磁半导体材料中,Fe离子浓度越高,稀磁半导体的晶体质量以及晶格取向所受到的影响就越严重。探讨Fe掺杂浓度的稀磁半导体材料,在任何温度下都能够展现出比较强的铁磁性。This paper describes that in dilute magnetic semiconductor materials,the higher the concentration of Fe ions,the more severe the impact on the crystal quality and lattice orientation of dilute magnetic semiconductors.Exploring diluted magnetic semiconductor materials with Fe doping concentration can exhibit strong ferromagnetism at any temperature.

关 键 词：半导体材料 FE掺杂 GAN 稀磁半导体磁性 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]