恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性  

Breakdown Characteristics of HfO_2 Gate Dielectrics Films Under Constant Current Stress

作　　者：韩德栋[1] 康晋锋[1] 王成钢[1] 刘晓彦 韩汝琦[1] 王玮[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第8期1009-1012,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~

摘　　要：利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 I- V特性和 C- V特性的影响 .实验结果表明薄栅介质的击穿过程中有很明显的软击穿现象发生 ,与栅氧化层面积有很大的关系 ,面积大的电容比较容易发生击穿 .分析比较了软击穿和硬击穿的区别 。Ultra thin high k HfO 2 gate dielectrics films are fabricated by reacting magnetron sputtering and furnace annealing.Breakdown characteristics (soft breakdown and hard breakdown) of gate dielectrics are studied.Results show that breakdown characteristic of thin gate dielectrics is different from that of thick gate dielectrics.Thus, breakdown mechanism of gate dielectrics under constant current stress is studied.

关 键 词：恒电流应力 高κ HFO2 击穿 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]