HFO2栅介质

作品数：6被引量：16H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：田书凤范志东王玮张弘韩汝琦更多>>
相关机构：北京大学河北大学专用集成电路与系统国家重点实验室中国航天更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子元件与材料》《材料导报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
导电SrTiO_3上脉冲激光沉积非晶HfO_2薄膜的漏电机理分析
《电子元件与材料》2018年第8期30-35,共6页周瑶 何鹏 幸代鹏 曾慧中 张万里 
国家自然科学基金资助项目(U1435208)
利用脉冲激光沉积技术在Sr Ti O_3表面导电层上方制备非晶Hf O_2栅介质薄膜,通过磁控溅射技术在非晶Hf O_2栅介质薄膜上方制备直径为100μm的圆形Pt电极,研究了变温条件下Pt/Hf O_2/Sr Ti O_3的漏电流I-V特性,分析了非晶Hf O_2栅介质层...
关键词：脉冲激光沉积 非晶薄膜 SrTiO3表面导电层 HFO2栅介质 I-V特性 漏电机制 
高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
《半导体技术》2018年第4期285-290,共6页刘倩倩 魏淑华 杨红 张静 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61504001);北京市自然科学基金资助项目(4162023)
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更...
关键词：HFO2 淀积后退火(PDA) C-V特性 等效氧化层厚度 平带电压 栅极泄漏电流 
基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制被引量：2
《半导体技术》2018年第3期177-180,232,共5页韩婷婷 吕元杰 刘沛 敦少博 顾国栋 冯志红 
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在（010）Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材...
关键词：β-Ga2O3 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) HfO2介质层 FE掺杂 漏源饱和电流 击穿电压 
电应力对HfO2栅介质漏电流的影响
《纳米科技》2013年第4期11-16,共6页张凯 郭晓雷 LANZA Mario 申自勇 
国家自然科学基金项目（61271050）
使用导电原子力显微镜（Conductive Atomic Force Microscopy，CAFM）对电压应力作用下HfO2栅介质薄膜局域漏电点的形成和产生机制进行了研究，结果表明，在电压应力作用下，HfO2介质层中的缺陷被驱动和聚集形成导电通道，产生漏电点。...
关键词：高K介质 电应力 漏电流 击穿 晶界 
高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展被引量：9
《材料导报》2007年第1期22-26,共5页田书凤 彭英才 范志东 张弘 
河北省自然科学基金(编号:503125)资助项目
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐...
关键词：高介电常数 HFO2栅介质 等效SiO2介电层厚度 电学特性 
HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第7期841-846,共6页王成刚 韩德栋 杨红 刘晓彦 王玮 王漪 康晋锋 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏...
关键词：HFO2栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部