郭晓雷

作品数：2被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：北京大学信息科学技术学院电子学系更多>>
发文主题：石墨烯HFO2栅介质CVDSTMPMMA更多>>
发文领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《纳米科技》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
电应力对HfO2栅介质漏电流的影响
《纳米科技》2013年第4期11-16,共6页张凯 郭晓雷 LANZA Mario 申自勇 
国家自然科学基金项目（61271050）
使用导电原子力显微镜（Conductive Atomic Force Microscopy，CAFM）对电压应力作用下HfO2栅介质薄膜局域漏电点的形成和产生机制进行了研究，结果表明，在电压应力作用下，HfO2介质层中的缺陷被驱动和聚集形成导电通道，产生漏电点。...
关键词：高K介质 电应力 漏电流 击穿 晶界 
PMMA在石墨烯转移过程中对其表面准周期褶皱的影响
《纳米科技》2013年第2期18-22,共5页郭晓雷 张凯 李伟 梁学磊 申自勇 
国家自然科学基金项目（61271050）
利用CVD方法在铜基底上制备了大面积石墨烯，将其转移到PMMA表面，利用AFM和STM对转移前后的石墨烯表面进行了研究，结果表明，利用CVD方法制备的石墨烯表面存在由Cu基底表面台阶引起的大面积准周期性条纹状褶皱；当石墨烯转移到PMMA表...
关键词：CVD 石墨烯 转移 PMMA 褶皱 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部