吴晓鹏

作品数：12被引量：13H指数：2
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：静电放电衬底噪声NMOSGGNMOSESD保护器件更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《兰州大学学报（自然科学版）》《半导体技术》《西北大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家高技术研究发展计划更多>>
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沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响被引量：2
《西安电子科技大学学报》2015年第6期113-117,共5页吴晓鹏 杨银堂 刘海霞 董刚 
陕西省科技统筹创新工程计划资助项目(2011KTCQ01-19);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051325011)
基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条...
关键词：沟道宽度 沟道长度 静电放电 栅接地N型金属氧化物半导体 
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
《西安电子科技大学学报》2014年第4期26-30,共5页吴晓鹏 杨银堂 董刚 高海霞 
国家部委预研究基金资助项目(9140A23060111);陕西省科技统筹创新工程计划资助项目(2011KTCQ01-19);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051325011)
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间...
关键词：漏极接触孔到栅间距 静电放电 栅接地N型金属氧化物半导体 
基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件
《西北大学学报（自然科学版）》2014年第1期41-45,共5页吴晓鹏 杨银堂 董刚 
国防预研究基金资助项目(9140A23060111);陕西省科技统筹创新工程计划基金资助项目(2011KTCQ01-19);中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(2013-01)
利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发G...
关键词：静电放电 多叉指GGNMOS 自衬底触发 动态衬底电阻 
基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究
《兰州大学学报（自然科学版）》2013年第2期270-275,共6页吴晓鹏 杨银堂 董刚 
国防预研究基金项目(9140A23060111);陕西省科技统筹创新工程计划项目(2011KTCQ01-19);中央高校基本科研业务费专项资金项目
针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到...
关键词：栅接地NMOS 静电放电 衬底电阻 传输线脉冲 
一种抑制ESD保护电路闩锁效应的版图研究被引量：1
《电路与系统学报》2013年第1期332-335,342,共5页柴常春 张冰 杨银堂 吴晓鹏 王婧 
国家自然科学基金(60776034);中央高校基本科研业务费专项资金资助(K50510250002)资助的课题
针对具有低压触发特性的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护电路易闩锁的不足,本文结合CSMC0.6μm CMOS工艺,设计了一种可应用于ESD保护电路中的独立双阱隔离布局方案,这种方案不仅可以有效的阻断形成闩锁的CMOS器件固有纵向PN...
关键词：闩锁效应 静电放电 版图 独立双阱隔离 
基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究被引量：5
《物理学报》2013年第4期424-430,共7页吴晓鹏 杨银堂 高海霞 董刚 柴常春 
国防预研究基金(批准号:9140A23060111);中央高校基本科研业务费(批准号:K50510250002);陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:2011KTCQ01-19)资助的课题~~
在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化,并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型,所...
关键词：栅接地n型金属氧化物半导体器件 静电放电 衬底电阻模型 
一种新型结构栅耦合ggNMOS ESD保护电路研究被引量：1
《电路与系统学报》2011年第5期84-89,共6页张冰 柴常春 杨银堂 吴晓鹏 
国家自然科学基金资助(60776034);中央高校基本科研业务费专项资金资助(K50510250002)
针对现有栅耦合NMOS(gate coupled NMOS,gcNMOS)静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护电路对特定ESD脉冲不能及时响应造成的"触发死区"现象,本文提出了一种全新结构的栅耦合栅接地NMOS(gate coupled gate grounded NMOS,gc-ggNMOS...
关键词：栅耦合栅接地NMOS(gate coupled GATE grounded NMOS gc-ggNMOS) 静电放电(electrostatic discharge ESD) 栅耦合电阻 栅耦合电容 传输线脉冲(transmission line pulsing TLP) 
一种混合信号集成电路衬底耦合噪声分析方法被引量：3
《固体电子学研究与进展》2007年第1期69-73,共5页朱樟明 杨银堂 刘帘曦 吴晓鹏 
国家自然科学基金(60476046);国家级重点实验室基金(51433030103DZ0101);教育部博士点基金(20050701015);国家部委基金(51408010304DZ0140;51408010205DZ0164)资助项目
讨论分析了混合信号集成电路衬底噪声耦合的机理,及对模拟电路性能的影响。提出了一种混合信号集成电路衬底耦合噪声分析方法,基于TSMC 0.35μm 2P4M CMOS工艺,以14位高速电流舵D/A转换器为例,给出了混合信号集成电路衬底耦合噪声分析...
关键词：衬底噪声 混合信号 模型 互补金属氧化物半导体 
深亚微米CMOS混合信号电路衬底噪声耦合宏模型
《微电子学与计算机》2006年第5期128-131,135,共5页吴晓鹏 杨银堂 朱樟明 
国家自然科学基金项目(60476046);国家863计划项目(2002AA1Z1210);电子元器件可靠性重点实验室基金项目(51433030304DZ01)
提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型。该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度。此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件...
关键词：衬底噪声 数模混合电路 电阻宏模型 CMOS 
混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应
《现代电子技术》2006年第8期118-122,共5页吴晓鹏 杨银堂 朱樟明 
国家自然科学基金资助项目(6047G046);国防重点实验室资助项目(51433030103D20101)
衬底噪声耦合是深亚微米混合信号集成电路中常见的噪声干扰效应,严重地影响了模拟电路的性能。系统地阐述混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应及其研究现状,讨论利用基于格林方程的边界元法对衬底建模的方法,并且分别从工艺、版图、电路等...
关键词：混合信号 村底噪声 建模方法 EEACC 2550X 2570A 
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