检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:朱樟明[1] 杨银堂[1] 刘帘曦[1] 吴晓鹏[1]
机构地区:[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
出 处:《固体电子学研究与进展》2007年第1期69-73,共5页Research & Progress of SSE
基 金:国家自然科学基金(60476046);国家级重点实验室基金(51433030103DZ0101);教育部博士点基金(20050701015);国家部委基金(51408010304DZ0140;51408010205DZ0164)资助项目
摘 要:讨论分析了混合信号集成电路衬底噪声耦合的机理,及对模拟电路性能的影响。提出了一种混合信号集成电路衬底耦合噪声分析方法,基于TSMC 0.35μm 2P4M CMOS工艺,以14位高速电流舵D/A转换器为例,给出了混合信号集成电路衬底耦合噪声分析方法的仿真结果,并与实际测试结果进行比较,证实了分析方法的可信性。Based on the analysis of substrate noise generated by digital circuits, the effects of substrate noise on analog circuits in a mixed-signal chip are described and analyzed. A methodology to accurately and efficiently analyze the substrate noise coupling is presented. Based on the TSMC 0. 35 μm 2P4M CMOS process, the effects of substrate noise on 14-bit high-speed currentsteering D/A converter are studied through the comparing the test frequency results and simulated frequency. The proposed methodology for substrate noise analysis has been verified.
关 键 词:衬底噪声 混合信号 模型 互补金属氧化物半导体
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
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