高精度带隙基准电压源的实现  

Realization of High Precision Bandgap Reference

作　　者：江金光[1] 王耀南[1] 

机构地区：[1]湖南大学电气与信息工程学院,长沙410082

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期852-857,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 3 75 0 0 1);高校博士点基金资助项目~~

摘　　要：提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W.A high precision bandgap reference circuit is presented,which has the characteristics of temperature coefficient of 3×10 -6 /℃ during the temperature from -20℃ to +80℃,and -85dB power supply restrain ratio(PSRR) through compensating the base current of transistor of output voltage( V ref ).This circuit is manufactured by Taiwan TSMC 0 35μm 2P4M(3 3V/5V) CMOS technology,which measures 0 654mm×0 340mm and consumes 5 2mW from a single 5 0V power supply.

关 键 词：高精度 电流补偿 温度补偿 温度系数 带隙基准电压源 EEACC 1280 2570D 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]