减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能  

Improved Performance of InGaP/GaAs HBT with Small-Scaled Emitter

作　　者：石瑞英[1] 孙海峰[2] 刘训春[2] 袁志鹏[2] 罗明雄[2] 汪宁[2] 

机构地区：[1]四川大学物理系,成都610064 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第8期991-994,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~

摘　　要：在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频率高达 81 GHz,且集电极电流密度为 7× 1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应 .它的高频和直流特性均比发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高 。A method to fabricate self aligned InGaP/GaAs HBT with small scaled emitter is introduced.With this method,self aligned InGaP/GaAs HBTs having good performance are fabricated.The emitter size is 2μm×15μm,and the cut off frequency reaches 81GHz.Moreover,the self heating effect is not obviously observed at a collector current density of 7×10 4A/cm 2 .Compared to device with large scaled emitter,the device characteristics are improved.The possible reasons are discussed.

关 键 词：自对准工艺 减小发射极宽度 提高InGaP/GaAs HBT的性能 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]