InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现  

Design and Process for Self-Aligned InP/InGaAs SHBT Structure

作　　者：李献杰[1] 蔡道民[1] 赵永林[1] 王全树[1] 周州[1] 曾庆明[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期136-139,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312040)

摘　　要：从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.

关 键 词：INP SHBT 自对准工艺 湿法腐蚀 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]