一种低阈值抗辐照对管MOSFET器件设计及工艺研究  

Design and Process Research of a Low Threshold Radiation Resistant MOSFET

作　　者：单长玲 习毓 丁文华 SHAN Chang-ling;XI Yu;DING Wen-hua

机构地区：[1]西安卫光科技有限公司,陕西西安710065

出　　处：《机电元件》2022年第4期18-20,共3页Electromechanical Components

摘　　要：本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究。产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm^(2))、抗电离总剂量100K rad(Si)要求特性,对产品进行了方案设计,以及关键设计技术和关键工艺技术分析,同时利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品经过最终流片、封装测试,技术参数达到了国外对应型号FDW2520C的技术特性指标,开关特性还优于FDW2520C,可以替代国外同类型号产品。

关 键 词：MOSFET 器件仿真 工艺技术 抗辐照 自对准工艺 

分 类 号：TN784[电子电信—电路与系统]