SiB457EDK：P沟道功率MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2009年第10期41-41,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay推出一款低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFETGenⅢP沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。

关 键 词：功率MOSFET P沟道 沟道技术 低导通电阻 自对准工艺 晶体管 硅片 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]