李建年

作品数：2被引量：2H指数：1
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发文主题：快速热退火热氧化热退火SI薄膜溅射更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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用XPS研究快速热退火形成TiSi_2的热氧化被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第10期619-624,共6页陈存礼 李建年 华文玉 
用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的混合层随着氧化温度的升高或是氧化时间的延长向SiO_2层过渡.提出一个“氧化时间两个阶段”的模型解释了...
关键词：硅化物 热退火 热氧化 硅化钛 XPS 
共溅射W-Si薄膜的快速热退火及其热氧化研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第4期224-230,共7页陈存礼 李建年 华文玉 
江苏省科学技术委员会
淀积在SiO_2上的共溅射W-Si 薄膜,在高纯N_2中经200—1100℃的10秒钟快速热退火,用转靶X射线衍射、激光喇曼光谱、俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、四探针测量等不同手段研究了钨硅化物的形成.565℃退火出现了W_5Si_3相...
关键词：W-Si薄膜 溅射 热退火 热氧化 
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