用挖补圆盘法检测金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触性能  

The Test of Ohmic Contact Quality for Metal／Thin Layer or Super Thin Semiconductor Layer by Adding and Taking Disc

作　　者：华文玉[1] 陈存礼[1] 

机构地区：[1]南京理工大学应用物理系,南京大学物理系

出　　处：《电子学报》1997年第8期33-36,共4页Acta Electronica Sinica

摘　　要：在平面型器件和备种新型微电子器件中，金属与薄层、超薄半导体层的欧姆接触质量宜接影响着器件的性能．本文提出一种挖补圆盘法来检测它们的欧姆接触性能．由电势叠加原理导出了理论公式．此法样品制备简单，无需台面绝缘，由于接触结构的特点，自然免除了侧向电流聚集效应，从而提高了精度．若将接触结构稍加发展，则更为简捷实用．实验结大果与文献报道的其它方法符合得很好．

关 键 词：金属 半导体 欧姆接触 微电子器件 

分 类 号：TN305.93[电子电信—物理电子学]