偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用  

作　　者：金泗轩[1] 元民华 王兰萍[1] 王海萍 宋海智[1] 秦国刚[2] 

机构地区：[1]北京大学物理系,北京100871 [2]国际材料物理中心北京大学物理系,北京100871

出　　处：《中国科学（A辑）》1993年第6期617-622,共6页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金;国家教委高等学校博土点资助项目

摘　　要：氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,势垒越高。

关 键 词：氢 Schottky势垒 零偏退火 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]