应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究  

作　　者：钱家骏[1] 徐波 陈涌海[1] 叶小玲[1] 韩勤[2] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心，北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期51-55,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光功率输出为2．74W。

关 键 词：应变自组装量子点 电致发光谱 InAs量子点结构 量子点激光器 MBE生长 

分 类 号：O433.2[机械工程—光学工程]