云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 董杰

董杰: 作品数：10被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：MOVPE铟磷半导体光学放大器偏振不灵敏更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《中国激光》《半导体光电》《激光与光电子学进展》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE: 《Journal of Semiconductors》2003年第4期342-346,共5页邱伟彬董杰王圩周帆; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :90 10 10 2 3 )~~; The wide stripe (15μm) selective area growth (SAG) of InGaAsP by low pressure MOVPE is systematically investigated.The characteristics of the growth ratios,thickness enhancement factors,bandgap modulation,and composi...; 关键词：SAG MOVPE INGAASP edge spike Ⅴ/Ⅲ ratio

Design of Tensile Strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.55μm Polarization Independent Semiconductor Optical Amplifier: 《Journal of Semiconductors》2003年第1期11-17,共7页邱伟彬何国敏董杰王圩; The theoretical optimization of tensile strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.55μm windows polarization-independent semiconductor optical amplifier is reported.The valence-band structure of the MQW is calculated by usin...; 关键词：semiconductor optical amplifier polarization independence MQW

渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2002年第10期1102-1105,共4页张瑞英董杰冯志伟周帆王鲁峰王圩; 国家重点基础研究 (编号 :G2 0 0 0 0 6 83 1);国家自然科学基金 (批准号 :No .6 9896 2 6 0 )资助项目~~; 采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0～ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不灵敏度小于 0 35dB ,自发发射出光功率为 0 18～ 3 9mW .; 关键词：应变渐变结构半导体光学放大器偏振不灵敏 SOA

大带宽半导体光学放大器的理论分析: 《Journal of Semiconductors》2002年第9期941-946,共6页张瑞英董杰张靖冯志伟王圩; 国家重点基础研究 (编号 :G2 0 0 0 0 683 -1);国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 )资助项目~~; 提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大...; 关键词：半导体光学放大器渐变应变偏振不灵敏 3DB带宽 SOA 增益谱

窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究: 《中国激光》2002年第9期832-836,共5页张瑞英董杰周帆李国华边静冯志伟王圩; 国家973项目(编号:G20000683-1);国家自然科学基金(编号:69896260)资助项目; 采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40μm范围内,获得波长漂移达177.5nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值...; 关键词：窄条宽选区生长化学气相沉积 INGAASP 波长调制 NSAG-MOCVD

1.5μm Self-Aligned Spotsize Converter Integrated DFB Fabricated by Selective Area Grown MOVPE: 《Journal of Semiconductors》2002年第7期681-684,共4页邱伟彬董杰王圩周帆; High performance 1 57μm spotsize converter monolithically integrated DFB is fabricated by the technique of self aligned selective area growth.The upper optical confinement layer and the butt coupled tapered thickn...; 关键词：spotsize converter self aligned butt joint selective area growth

选择外延MOVPE的表面迁移: 《半导体光电》2002年第3期212-214,共3页邱伟彬董杰周帆王圩; 研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律 ,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ /Ⅲ比的变化。结果表明 ,随着掩模宽度的增大 ,In组分增大 ,Ga组分减少 ;随着Ⅴ /Ⅲ比的增大 ,InGaAsP材料表面趋向平坦。对材料边缘尖角...; 关键词：选择外延边缘尖角 INGAASP Ⅴ/Ⅲ比

Spotsize Converter Integrated DFB Laser Diode Using Selective Area Growth of MOCVD: 《Journal of Semiconductors》2002年第5期459-463,共5页邱伟彬王圩董杰张静媛周帆; The characteristics of thickness enhancement fact or and bandgap wavelength of selectively grown InGaAsP are investigated.A high thi ckness enhancement factor of 2.9 is obtained.Spotsize converter integrated DFB las...; 关键词：SAG butt-joint spotsize converter DFB

窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子: 《Journal of Semiconductors》2002年第4期399-402,共4页张瑞英董杰周帆冯志伟边静王圩; 国家 973计划资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 6 83-1)~~; 报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与...; 关键词：窄条宽选区生长 MOCVD 磷化铟系材料速率增强因子

InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化: 《激光与光电子学进展》2001年第9期56-56,共1页邱伟彬董杰朱洪亮周帆王圩; 利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长...; 关键词：外延生长 InGaAsP材料厚度增强因子 MOVPE生长

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