偏振不灵敏

作品数：10被引量：5H指数：1
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基于表面等离激元的偏振不灵敏型电光调制器的理论研究被引量：1
《光电工程》2018年第11期41-47,共7页靳琳 宋世超 文龙 孙云飞 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61405235)~~
由于受到表面等离激元(SPP)固有偏振性的影响,基于表面等离激元的波导型调制器只支持横磁模式(TM)传播。本文提出了一种在垂直方向和水平方向上均构建混合(hybrid)波导结构的表面等离激元电光调制器,以实现调制器的低偏振灵敏性。在组...
关键词：表面等离激元 透明导电氧化物 调制器 偏振性 
1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制
《光电子．激光》2006年第10期1157-1160,共4页黄永箴 胡永红 于丽娟 陈沁 谭满清 马骁宇 
国家"863"计划资助项目(2002AA312090);国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000036606);国家自然科学基金资助项目(602250011)
研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3...
关键词：半导体光放大器(SOA) INGAASP 增益 抗反射膜 
宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第3期567-570,共4页王书荣 王圩 刘志宏 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 田慧良 
国家重点基础研究发展计划(编号:G20000683 1);国家自然科学基金(批准号:90101023)资助项目~~
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏...
关键词：压应变InGaAs量子阱 张应变InGaAs准体材料 半导体光放大器 偏振灵敏度 增益 饱和输出功率 
高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器被引量：1
《中国激光》2004年第11期1381-1384,共4页王书荣 王圩 朱洪亮 张瑞英 赵玲娟 周帆 田慧良 
国家973计划项目(G20000683-1);国家自然科学基金重大研究计划项目(90101023)资助课题。
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便...
关键词：光电子学 半导体光放大器 张应变 偏振不灵敏 信号增益 饱和输出功率 
InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究
《液晶与显示》2004年第2期116-119,共4页殷景志 杜国同 龙北红 杨树人 许武 宣丽 
国家自然科学基金重大项目资助 (No .698962 60 )
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80～ 12...
关键词：半导体光放大器 磷化铟 应变补偿结构 晶格匹配 偏振灵敏度 量子阱结构 
1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
《半导体光电》2003年第4期274-275,共2页于丽娟 金潮渊 芦秀玲 黄永箴 
国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 0 0 0 0 3 660 5)
采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。
关键词：半导体光放大器 偏振不灵敏 宽接触激光器 
抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究被引量：1
《中国激光》2003年第7期633-636,共4页黄黎蓉 李含辉 胡振华 黄永箴 黄德修 
国家973项目资助课题(编号:G2000036605);863计划资助课题(2002AA312130)
通过理论分析和计算表明,适当地增加反射率,在同样的工作电流下,半导体光放大器(SOA)的增益将有所增大。合理地调节抗反膜的折射率和厚度,可以使TM模的反射率R_(TM)在一段波长范围内大于TE模的反射率R_(TE)。这样的反射率分布可以相对提...
关键词：薄膜物理学 半导体光放大器 偏振不灵敏 抗反膜 反射率 
适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质被引量：1
《中国激光》2003年第1期53-56,共4页殷景志 刘素萍 刘宗顺 王新强 殷宗友 李正庭 杨树人 杜国同 
国家自然科学基金重大项目 (编号 :6 9896 2 6 0 )资助课题
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0m...
关键词：InGaAsP光放大器 偏振不灵敏 张应变阱 压应变阱 增益介质 光纤通信 
渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第10期1102-1105,共4页张瑞英 董杰 冯志伟 周帆 王鲁峰 王圩 
国家重点基础研究 (编号 :G2 0 0 0 0 6 83 1);国家自然科学基金 (批准号 :No .6 9896 2 6 0 )资助项目~~
采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0～ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不灵敏度小于 0 35dB ,自发发射出光功率为 0 18～ 3 9mW .
关键词：应变渐变结构 半导体光学放大器 偏振不灵敏 SOA 
大带宽半导体光学放大器的理论分析
《Journal of Semiconductors》2002年第9期941-946,共6页张瑞英 董杰 张靖 冯志伟 王圩 
国家重点基础研究 (编号 :G2 0 0 0 0 683 -1);国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 )资助项目~~
提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大...
关键词：半导体光学放大器 渐变应变 偏振不灵敏 3DB带宽 SOA 增益谱 
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