李正庭

作品数：12被引量：18H指数：3
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供职机构：吉林大学更多>>
发文主题：半导体激光器ZNOZNO薄膜可靠性LP-MOCVD更多>>
发文领域：电子电信建筑科学更多>>
发文期刊：《中国激光》《Journal of Semiconductors》《微电子学》《光电子．激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目福建省自然科学基金更多>>
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O_2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响
《功能材料与器件学报》2004年第2期160-164,共5页马艳 杜国同 杨树人 李正庭 李万成 杨天鹏 张源涛 赵佰军 杨小天 刘大力 
国家自然科学基金(No.60177007;60176026);863计划资助项目(No.2001AA311130)
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al_2O_3衬底上沉积了ZnO薄膜。研究了Ⅵ族源O_2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响。增加O_2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜...
关键词：ZNO薄膜 MOCVD PL谱 
适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质被引量：1
《中国激光》2003年第1期53-56,共4页殷景志 刘素萍 刘宗顺 王新强 殷宗友 李正庭 杨树人 杜国同 
国家自然科学基金重大项目 (编号 :6 9896 2 6 0 )资助课题
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0m...
关键词：InGaAsP光放大器 偏振不灵敏 张应变阱 压应变阱 增益介质 光纤通信 
一定可视角的超高亮度蓝光LED
《半导体光电》2002年第4期245-246,共2页殷宗友 Densen Cao 杜国同 李正庭 杨树人 
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)的实验结果。在室温下 ,正向电压为 3.3V和电流为 35 0mA时 ,其轴向亮度为 16× 10 4 cd/m2 ,可视角为 98°。
关键词：蓝光发光二极管 大面积点光源 超高亮度 封装工艺 
抑制行波光放大器光激射的新方法
《吉林大学学报（理学版）》2002年第2期183-185,共3页殷景志 杜国同 李宪龙 张源涛 王新强 李正庭 
国家重大基金 (批准号 :6 9896 2 6 0 )
提出一种采取倾角和张角相结合的器件结构抑制行波光放大器光激射的新方法 .实验结果表明 ,抑制效果显著 。
关键词：抑制激射 行波光放大器 倾角 张角 光纤通信 增透膜 反射率 阈值电流 
用电导数技术筛选可见光半导体激光器被引量：5
《半导体光电》2000年第2期115-117,共3页李红岩 石家纬 金恩顺 齐丽云 李正庭 高鼎三 
对 6 0只 6 70nm可见光量子阱激光器进行电导数测试 ,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系 ,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器快速筛选的好方法。
关键词：半导体激光器 电导数 筛选 可见光 
InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析
《光电子．激光》2000年第1期29-31,共3页金智 李明涛 王新强 李正庭 杨树人 杜国同 刘式墉 
国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学基金重大资助项目!( 698962 60 )
本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚...
关键词：张应变层 量子点 砷化镓 磷铧铟 
电导数测试用于大功率半导体激光器的快速筛选被引量：10
《中国激光》1999年第6期507-510,共4页李红岩 石家纬 金恩顺 齐丽云 李正庭 高鼎三 肖建伟 刘宗顺 
集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体所实验区和吉林省科委资助项目
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。
关键词：半导体激光器 可靠性 筛选 测试 
微波扫描移相器在电光采样系统中的应用
《微电子学》1997年第2期130-132,共3页田小建 衣茂斌 孙伟 李正庭 周波 
介绍了一种可用于电光采样系统的微波扫描移相器，其线性度≤１．４％，插入损耗≤４．０５ｄＢ。用此移相器组成的电光采样测试系统测量了高速门电路波形。
关键词：电光采样 移相器 微波扫描 集成电路 测试 
一个检测半导体激光器质量的有效方法被引量：6
《Journal of Semiconductors》1996年第8期595-600,共6页石家纬 金恩顺 李红岩 李正庭 郭树旭 高鼎三 余金中 郭良 
对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．
关键词：半导体激光器 质量检测 INGAASP INP 激光器 
LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管
《半导体光电》1995年第4期348-351,共4页刘宝林 黄美纯 陈朝 陈丽容 陈龙海 杨树人 陈伯军 王本忠 范爱英 李正庭 刘式墉 
福建省自然科学基金
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μ...
关键词：半导体器件 半导体工艺 光电二极管 
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