InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析  

AFM Analysis of InAs Quantum Dots on GaAs Tensile Strained Layer on InP Substrate

作　　者：金智[1] 李明涛[1] 王新强[1] 李正庭[1] 杨树人[1] 杜国同[1] 刘式墉[1] 

机构地区：[1]集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区,吉林大学电子工程系长春130023

出　　处：《光电子．激光》2000年第1期29-31,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学基金重大资助项目!( 698962 60 )

摘　　要：本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚有 In As自组装量子点在表面形成 ;当 In As层的厚度为 4ML时 ,有大量的 In As自组装量子点在表面形成 ,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列 ,沿某一方向排列较多 ,而另一方向相对较少。WT5”BZ]:In this paper,we grew InAs quantum dots on GaAs tensile strained layer (about 2 nm) on (001) InP substrate in Stranski Krastanow (S K) growth mode by LP MOCVD.AFM analysis indicate that InAs quantum dots were formatted when InAs layer thickness is 2 monolayers (ML).When its thinckness increase to 4 ML,the density of InAs quantum dots increase dramatically.We can also find that the InAs quantum dots arranged along two orthogonal directions and the trend of arrangement along one direction is clearer than along the other one. [WT5”HZ]

关 键 词：张应变层 量子点 砷化镓 磷铧铟 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]