殷宗友

作品数：6被引量：18H指数：2
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供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题：氧化锌薄膜ZNO薄膜ZNO薄膜结构高通量蓝光LED更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光子学报》《中国激光》《发光学报》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：11
《发光学报》2003年第1期73-75,共3页张源涛 李万程 王金忠 杨晓天 马艳 殷宗友 杜国同 
国家 8 6 3计划资助项目 ( 2 0 01AA311130 )
采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。
关键词：射频磁控溅射 结构 光学特性 ZNO薄膜 光荧光谱 氧化锌薄膜 外延生长 
适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质被引量：1
《中国激光》2003年第1期53-56,共4页殷景志 刘素萍 刘宗顺 王新强 殷宗友 李正庭 杨树人 杜国同 
国家自然科学基金重大项目 (编号 :6 9896 2 6 0 )资助课题
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0m...
关键词：InGaAsP光放大器 偏振不灵敏 张应变阱 压应变阱 增益介质 光纤通信 
一定可视角的超高亮度蓝光LED
《半导体光电》2002年第4期245-246,共2页殷宗友 Densen Cao 杜国同 李正庭 杨树人 
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)的实验结果。在室温下 ,正向电压为 3.3V和电流为 35 0mA时 ,其轴向亮度为 16× 10 4 cd/m2 ,可视角为 98°。
关键词：蓝光发光二极管 大面积点光源 超高亮度 封装工艺 
RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响被引量：4
《光子学报》2002年第0Z2期327-331,共5页张源涛 殷宗友 杨树人 马艳 杜国同 
采用RF磁控溅射法在Si（001）衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的（002）ZnO衍射峰，表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜，研究发现当氧...
关键词：RF磁控溅射条件 ZNO薄膜 氧化锌薄膜 结构分析 溅射频率 氧气流量 氩气流量 XRD分析 
高亮度高通量蓝光LED的封装技术被引量：1
《光子学报》2002年第0Z2期99-102,共4页杨树人 杜国同 殷宗友 张源涛 杨小天 李万程 
将用MOCVD法生长的GaN基外延片做成1mm×1mm的大芯片，对其进行特殊的封装。封装成的LED在工作电流为350mA，可视角高达125°时，轴向亮度能达到21万cd/m^2，输出积分功率能达到1.5lm，这样的高亮度高通量LED在大屏幕显示和交通等领域...
关键词：LED 发光二极管 大芯片 封装技术 蓝光源 高亮度 高通量 可视角 
生长温度对ZnO薄膜结构的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2002年第2期115-118,共4页王金忠 王新强 闫玮 殷宗友 马燕 姜秀英 杨树人 高鼎三 杜国同 
国家自然科学基金(69896260;59910161983和69777005);吉林省科学基金(19990518-1)
在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数。当生...
关键词：生长温度 XRD SEM 化学计量比 氧化锌薄膜 
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