RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响  

作　　者：张源涛[1] 殷宗友[1] 杨树人[1] 马艳[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子科学与工程学院，集成光电子国家重点实验室，长春130023

出　　处：《光子学报》2002年第0Z2期327-331,共5页Acta Photonica Sinica

摘　　要：采用RF磁控溅射法在Si（001）衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的（002）ZnO衍射峰，表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜，研究发现当氧气和氩气的流量比相同时，随着溅射功率的增加，样品的（002）衍射峰增强，半高全宽变小。而当溅射功率相同时，随着氧气和氩气的流量比增加，样品的（002）衍射峰也增强，半高全宽同样变小。此外，本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间关系，发现在相同的功率条件下，溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好。

关 键 词：RF磁控溅射条件 ZNO薄膜 氧化锌薄膜 结构分析 溅射频率 氧气流量 氩气流量 XRD分析 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN304[理学—物理]