适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质  

Polarization Insensitive Gain Medium for InGaAsP Optical Amplifiers

作　　者：殷景志[1] 刘素萍[2] 刘宗顺[2] 王新强[1] 殷宗友[1] 李正庭[1] 杨树人[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系,吉林长春130023 [2]中国科学院半导体所,北京100083

出　　处：《中国激光》2003年第1期53-56,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金重大项目 (编号 :6 9896 2 6 0 )资助课题

摘　　要：研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0mA偏置时可达 0 1dB。在较大的电流范围内 ,峰的半高全宽 (FWHM)为 4 0nm。It is fabricated that polarization insensitive gain medium for InGaAsP optical amplifiers. The active layer is a structure with alternating tensile and compressive strain quantum wells. The waveguide is made a taper with angled facets. In the experiment it is found that the structure can suppress the lasing and decrease the polarization sensitivity. The imbalance between TE and TM gains is less than 0.5 dB at bias current 125 mA, and 0.1 dB at 100 mA. FWHM is 40 nm within large current.

关 键 词：InGaAsP光放大器 偏振不灵敏 张应变阱 压应变阱 增益介质 光纤通信 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统] TN722[电子电信—信息与通信工程]