高亮度高通量蓝光LED的封装技术  

作　　者：杨树人[1] 杜国同[1] 殷宗友[2] 张源涛[1] 杨小天[1] 李万程[1] 

机构地区：[1]吉林大学，电子科学与工程学院，长春130023 [2]长春工业大学，材转科学与工程学院，长春130012

出　　处：《光子学报》2002年第0Z2期99-102,共4页Acta Photonica Sinica

摘　　要：将用MOCVD法生长的GaN基外延片做成1mm×1mm的大芯片，对其进行特殊的封装。封装成的LED在工作电流为350mA，可视角高达125°时，轴向亮度能达到21万cd/m^2，输出积分功率能达到1.5lm，这样的高亮度高通量LED在大屏幕显示和交通等领域有着极好的应用前景，同时用作白光LED的蓝光源也是十分理想的。

关 键 词：LED 发光二极管 大芯片 封装技术 蓝光源 高亮度 高通量 可视角 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学] TN30