王金忠

作品数：19被引量：76H指数：6
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供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文主题：ZNO薄膜氧化锌薄膜半导体材料MOCVD生长退火更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《传感技术学报》《光学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目国家重点实验室开放基金更多>>
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ZnO薄膜的掺杂特性被引量：10
《发光学报》2004年第2期134-138,共5页刘大力 杜国同 王金忠 张源涛 张景林 马艳 杨晓天 赵佰军 杨洪军 刘博阳 杨树人 
国家"863"计划(2001AA311130);国家自然科学基金(60177007;60176026)
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量...
关键词：氧化锌薄膜 富锌生长 半导体材料 氮掺杂 生长温度 掺杂流量 空穴载流子浓度 
等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N_2和掺NH_3特性比较被引量：4
《发光学报》2004年第2期143-146,共4页常玉春 杨晓天 王金忠 王新强 刘博阳 刘大力 胡礼忠 杜国同 
国家自然科学基金(60176026;6017707);国家"863"计划(2001AA311130);吉林大学青年教师基金
利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N_2和NH_3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究。掺N_2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29 eV,半峰全宽～100 meV,电阻率由0.65Ω·cm...
关键词：金属有机化学气相沉积 氧化锌薄膜 半导体材料 氮气掺杂 氨气掺杂 载流子浓度 
声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长被引量：3
《高等学校化学学报》2003年第10期1750-1752,共3页赵佰军 杜国同 王金忠 杨洪军 张源涛 杨小天 马艳 刘博阳 杨天鹏 刘大力 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1770 0 7和 60 1760 2 6);863项目 (批准号 :2 0 0 1AA3 1113 0 )资助
ZnO films with <110> orientation were grown on R-Al 2O 3 substrates by LP-MOCVD, and the growth temperature was optimized. The quality of crystal, surface morphology and optical characteristic of the samples were inve...
关键词：声表面波器件 ZnO 薄膜 MOCVD 蓝宝石 XRD AFM PL 半导体材料 
蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH_3掺杂研究被引量：1
《发光学报》2003年第4期335-338,共4页王金忠 杜国同 马艳 赵佰军 杨晓天 张源涛 刘大力 李万程 杨洪军 杨树人 吴爱国 李壮 
国家自然科学基金(59910161983;60177007和60176026);国家"863"计划(2002AA311130)资助项目
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高...
关键词：蓝宝石R面 氧化锌薄膜 金屑有机化学气相沉积 X射线光电子能谱 ZNO薄膜 NH3掺杂 半导体 氮掺杂 
射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：11
《发光学报》2003年第1期73-75,共3页张源涛 李万程 王金忠 杨晓天 马艳 殷宗友 杜国同 
国家 8 6 3计划资助项目 ( 2 0 01AA311130 )
采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。
关键词：射频磁控溅射 结构 光学特性 ZNO薄膜 光荧光谱 氧化锌薄膜 外延生长 
ZnO薄膜的XPS研究被引量：3
《半导体光电》2002年第6期426-428,共3页王金忠 杨小天 赵佰军 张源涛 刘大力 王海嵩 杨树人 杜国同 
国家自然科学基金资助项目 (5 9910 16 1983;6 0 176 0 2 6 ;6 0 1770 0 7) ;" 86 3"科技计划资助项目(2 0 0 1AAA31110 )
利用等离子体增强型MOCVD设备 ,在C面蓝宝石上生长出了C轴取向的未退火、生长后一次退火和生长过程中多次退火的ZnO薄膜样品 ,并通过X光衍射和X光电子能谱对样品进行了表征 ,结果表明生长过程中多次退火的样品具有较高的质量 ,O/Zn原子...
关键词：等离子体增强型MOCVD X光衍射 光电子能谱 
ZnS／ZnSe多量子阱研制
《光子学报》2002年第0Z2期197-200,共4页刘大力 杜国同 何晓东 王一丁 王金忠 
采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统，以电子级二甲基锌（DMZn）和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料，二次钯管净化的氢气为载气，衬底选用（100）GaAs和（111）CaF2，以微机程序控制电气线路的开关，交替生长ZnS和ZnSe薄层...
关键词：ZnS/ZnSe多量子阱 AP-MOCVD系统 垒宽 阱宽 超晶格 半导体材料 硫化锌 硒化锌 金属有机化学气相外延 薄膜生长 
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第6期624-627,共4页常玉春 崔洪峰 王金忠 宋俊峰 HailinLuo Y.Wang 杜国同 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 1);国家重大基础研究 (No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助项目
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率
关键词：垂直发射极 HBT 异质结双极晶体管 镇流电阻 电流集边效应 
基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展被引量：2
《半导体光电》2002年第3期145-149,共5页王海嵩 宋俊峰 许呈栋 侯小珂 王剑钢 常玉春 王金忠 杜国同 
国家自然科学基金资助项目 (6 0 0 770 2 1);国家自然科学基金重大资助项目 (6 9896 2 6 0 )
垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构 ,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用。文章概述了近年来以垂直腔面发射激光器为发光器件的收发模块结构的最新研究与进展 。
关键词：激光二极管 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 收发模块 
等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜被引量：6
《高等学校化学学报》2002年第5期927-931,共5页王新强 杨树人 王金忠 李献杰 殷景志 姜秀英 杜国同 杨如森 高春晓 Ong H.C. 
基金项目:国家自然科学基金(批准号:60177007;60176026); 国家自然科学基金委员会和香港资助局联合资助项目(批准号:59910161983);国家863项目;吉林省科技厅资助项目(批准号:19990518-1)和集成光电子国家重点实验室开放课题等资助.
利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发...
关键词：等离子体增强 MOCVD法 ZNO薄膜 原子力显微镜 光谱 半导体薄膜 生长方法 
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