电流集边效应

作品数：15被引量：23H指数：3
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光伏电池正向电流注入下的电流集边效应仿真分析
《电源技术》2024年第6期1147-1153,共7页刘畅 于辉 吴龙军 田丽 
针对光伏电池在正向电流注入条件下,电极表面电流分布及电池表面温度分布情况,采用COMSOL Multiphysics仿真软件对光伏电池进行建模仿真。建立三维光伏电池模型,通过数值模拟光伏电池在大电流正向注入情况下的载流子输运过程,求解载流...
关键词：光伏电池 热失效 电流集边 COMSOL仿真 
BCD工艺中大电流下纵向双极晶体管的电流集边效应研究被引量：1
《电子与封装》2024年第3期87-91,共5页彭洪 王蕾 谢儒彬 顾祥 李燕妃 洪根深 
在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm、30μm...
关键词：双极晶体管 功率 发射区结电流集边效应 大电流 
一种CMOS新型ESD保护电路设计被引量：1
《现代电子技术》2015年第24期128-131,共4页沈放 陈巍 黄灿英 陈艳 
江西省教育改革课题(JXJG-11-22-2);江西省教育改革课题(JXJG-13-28-6);江西省教育改革课题(JXJG-14-28-8);江西省教育厅青年科学基金项目(GJJ12165);江西省教育教学"十二五"规划课题(11YB452)
金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因,普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理,基于SMIC 0.18μm工...
关键词：静电放电(ESD)保护 栅极接地NMOS 抗静电 电流集边效应 低成本 
金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管器件结构的改进
《科技创新导报》2012年第13期105-106,共2页陈家荣 
本文采用Schrodinger方程与统计力学方程联立的方法,研究了金属/AlGaN/GaN异质结横向肖特基二极管正极电流分布不均匀的现象,提出了缓解电流集边效应的二极管结构的改进。
关键词：金属/AlGaN/GaN肖特基异质结器件 二维电子气 电流集边效应 
晶体管二次击穿特性研究被引量：6
《辽宁大学学报（自然科学版）》2009年第1期30-34,共5页尹光 周涛 石广源 
沈阳市科技局科研项目(108186-2-00)
主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义.
关键词：大功率晶体管 二次击穿 电流集边效应 挖槽 
提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法被引量：1
《科技资讯》2007年第24期233-234,共2页舒梅 
本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺...
关键词：大功率开关晶体管 正偏二次击穿 电流集边效应 
双极晶体管发射极电流集边效应理论有创新突破
《集成电路应用》2003年第2期27-27,共1页
由中国华晶电子集团公司石林初和杜行尧两位研究员级高级工程师领导的项目组,在国家自然科学基金的资助下,对双极晶体管发射极电流集边效应理论作了深入研究,取得了创新性成果。1971年由J.
关键词：双极晶体管 发射极 电流集边效应 理论创新 
关于晶体管发射极电流集边效应理论的研究被引量：1
《电子器件》2002年第3期209-213,共5页林鸿生 石林初 
国家自然科学基金 (No .697760 2 4)
介绍了晶体管基区电位微分方程解析解的研究结果 ,与方程近似解相比 ,它能定量地阐释发射极电流集边效应及相关参量 。
关键词：晶体管 发射极 电流集边效应 有效发射区宽度Seff 发射区有效周长 基区电位微分方程 
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第6期624-627,共4页常玉春 崔洪峰 王金忠 宋俊峰 HailinLuo Y.Wang 杜国同 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 1);国家重大基础研究 (No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助项目
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率
关键词：垂直发射极 HBT 异质结双极晶体管 镇流电阻 电流集边效应 
双极晶体管发射极电流集边效应理论及其在大生产中的应用研究
《微电子技术》2002年第1期1-8,共8页石林初 杜行尧 吕文生 石一心 吴敏 肖志红 吴毅 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 2 4 )
本文对双极晶体管发射极电流集边效应的理论研究作了回顾。文章指出 :1971年 ,J Olmstead等人在四个假设下 ,导出了一维的描述该效应的微分方程 ,并给出了它的近似解。我们采用分离变量法 ,不作任何近似 ,导出了该微分方程的解析解 ,从...
关键词：双极晶体管 发射极 电流集边效应 大生产 
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