陈家荣

作品数：12被引量：3H指数：1
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供职机构：贵州民族大学更多>>
发文主题：硅纳米晶光致发光场效应硅基表面等离子体更多>>
发文领域：一般工业技术理学电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《硅谷》《半导体光电》《半导体技术》《科技创新导报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金更多>>
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提高硅量子点光致发光强度的方法研究
《冶金与材料》2019年第3期22-22,24,共2页陈家荣 
硅光源是硅基光电子集成领域的核心组件,块体硅是间接带隙半导体材料,自身发光效率较低,并非合适的发光材料,硅量子点由于量子限制效应及其发光的稳定性越来越引起大家的关注。文章主要研究H钝化、Ce^3+掺杂对硅量子点光致发光强度的影响。
关键词：硅量子点 光致发光 H钝化 Ce^3+掺杂 
高等数学教学中求极限的方法研究被引量：1
《科学咨询》2019年第13期76-77,共2页陈家荣 
《量产硅量子点的结构优化及发光特性研究》(合同编号:黔教合KY字【2016】155)
函数极限是高等数学中最基本的概念之一,导数、定积分等概念都是在函数极限的定义上完成的。本文主要介绍了求解函数极限的直接代入法、因式分解法、同时除以最高次幂法、无穷大与无穷小关系求解法、无穷小性质求解法、等价无穷小法、...
关键词：高等数学 极限 无穷小 洛必达法则 
籽晶层退火温度对ZnO纳米棒形貌及发光特性的影响被引量：1
《半导体光电》2018年第1期77-80,共4页杨琴 罗胜耘 陈家荣 
贵州省科技厅和贵州民族大学联合基金项目(LKM[2013]17)
以不同退火温度处理后的ZnO籽晶层为基底,采用水热法生长了ZnO纳米棒阵列。对制备得到的ZnO纳米棒阵列的形貌、结构以及发光特性进行了表征,分析了籽晶层的退火温度对ZnO纳米棒阵列的形貌及发光性质的影响,发现通过调节籽晶层的退火温度...
关键词：籽晶层 退火温度 ZNO纳米棒 水热法 脉冲激光沉积 
非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展被引量：1
《半导体技术》2017年第6期401-410,474,共11页岳兰 任达森 罗胜耘 陈家荣 
国家自然科学基金资助项目(61504031);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合LH字[2014]7388);贵州民族大学科研基金资助项目(15XRY009)
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏...
关键词：薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(AOS) 沟道层 成膜技术 薄膜组分 掺杂 
量产硅量子点的制备及其光致发光
《半导体技术》2017年第2期124-128,共5页张羽 陈家荣 
国家自然科学基金面上项目(51472051);国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61504031);贵州民族大学科研基金资助项目(16jsxm012)
高亮度硅量子点是实现硅光电子集成的关键部件,针对利用硅原子的自组织生长方法制备的硅量子点具有浓度低、发光弱等缺点,研究了利用硝酸氧化和氢氟酸腐蚀制备量产的硅量子点的方法,增加了硅量子点的浓度,从而提高了硅量子点的发光强度...
关键词：量产 硅量子点(SQD) 光致发光 化学腐蚀 热退火 
提高含硅纳米晶LED亮度的方法研究
《真空》2015年第5期43-46,共4页陈家荣 张羽 
阻碍硅纳米晶LED器件在光电集成电路中的广泛应用的关键问题在于硅纳米晶电致发光强度较低。本文主要采用真空反应蒸发法和高温相分离方法来制备硅纳米晶样品,然后研究改变Si-nc浓度、改变衬底材料的电阻率、降低Si-nc与不同基体(SiO2、...
关键词：硅纳米晶 电致表面等离子体场效应 界面效应 
场效应增强硅纳米晶电致发光强度的研究
《科技创新导报》2015年第19期21-21,23,共2页陈家荣 张羽 
实用的硅光源器件在硅光电子器件中起着非常重要的作用。但由于Si是间接带隙半导体材料,基本上无发光,当Si的尺寸减小到纳米量级时,存在着发光,Si-nc的光致发光强度较强,但其电致发光强度较弱,该研究采用在器件中加入场效应层的方法 ...
关键词：硅纳米晶 场效应 电致发光 I-V曲线 
硅纳米晶的光致发光研究
《硅谷》2012年第18期75-75,127,共2页陈家荣 
贵州民族大学2012年科研基金资助项目
主要研究在Si-nc的制备过程中制备不同的多层结构,是否对材料进行热处理后的Si-nc的光致发光强度,其实验结果表明多层结构对Si-nc的发光强度有一定的影响,改变多层结构可提高Si-nc的光致发光强度,同样经过热处理也可提高Si-nc的发光强度。
关键词：Si-nc 光致发光 退火 量子限制效应 
硅纳米晶的制备及影响其光致发光因素研究
《河南师范大学学报（自然科学版）》2012年第4期58-61,共4页陈家荣 朱江 陆明 
贵州民族大学2012年科研基金资助项目
经过大量的实验得出硅纳米晶(Si-nc)的发光波长位置在750nm附近,从而验证了Si-nc的制备成功.其次,研究了在Si-nc的制备过程中制备不同的多层结构,掺杂不同的稀土元素,是否钝化等方法对材料进行处理后的Si-nc的光致发光强度,其实验结果...
关键词：Si-nc 光致发光 退火 H钝化 猝灭效应 量子限制效应 
AlGaN/GaN肖特基二极管中金属电极的制备方法研究
《真空》2012年第3期58-60,共3页陈家荣 
本文主要研究AlGaN/GaN二极管制备工艺中Ohmic Contact金属和Schottky Contact金属电极的制备,主要讨论了金属电极材料的选取,退火温度和退火时间对接触电阻的影响,最后得出了Ohmic Contact的比接触电阻和TiN的淀积参数。
关键词：Ohmic CONTACT SCHOTTKY CONTACT 比接触电阻 
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