张羽

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供职机构：贵州民族大学更多>>
发文主题：场效应硅纳米晶硅基电致发光表面等离子体更多>>
发文领域：理学政治法律一般工业技术电子电信更多>>
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量产硅量子点的制备及其光致发光
《半导体技术》2017年第2期124-128,共5页张羽 陈家荣 
国家自然科学基金面上项目(51472051);国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61504031);贵州民族大学科研基金资助项目(16jsxm012)
高亮度硅量子点是实现硅光电子集成的关键部件,针对利用硅原子的自组织生长方法制备的硅量子点具有浓度低、发光弱等缺点,研究了利用硝酸氧化和氢氟酸腐蚀制备量产的硅量子点的方法,增加了硅量子点的浓度,从而提高了硅量子点的发光强度...
关键词：量产 硅量子点(SQD) 光致发光 化学腐蚀 热退火 
提高含硅纳米晶LED亮度的方法研究
《真空》2015年第5期43-46,共4页陈家荣 张羽 
阻碍硅纳米晶LED器件在光电集成电路中的广泛应用的关键问题在于硅纳米晶电致发光强度较低。本文主要采用真空反应蒸发法和高温相分离方法来制备硅纳米晶样品,然后研究改变Si-nc浓度、改变衬底材料的电阻率、降低Si-nc与不同基体(SiO2、...
关键词：硅纳米晶 电致表面等离子体场效应 界面效应 
场效应增强硅纳米晶电致发光强度的研究
《科技创新导报》2015年第19期21-21,23,共2页陈家荣 张羽 
实用的硅光源器件在硅光电子器件中起着非常重要的作用。但由于Si是间接带隙半导体材料,基本上无发光,当Si的尺寸减小到纳米量级时,存在着发光,Si-nc的光致发光强度较强,但其电致发光强度较弱,该研究采用在器件中加入场效应层的方法 ...
关键词：硅纳米晶 场效应 电致发光 I-V曲线 
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