场效应增强硅纳米晶电致发光强度的研究  

作　　者：陈家荣[1] 张羽[1] 

机构地区：[1]贵州民族大学信息工程学院,贵州贵阳550001

出　　处：《科技创新导报》2015年第19期21-21,23,共2页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：实用的硅光源器件在硅光电子器件中起着非常重要的作用。但由于Si是间接带隙半导体材料,基本上无发光,当Si的尺寸减小到纳米量级时,存在着发光,Si-nc的光致发光强度较强,但其电致发光强度较弱,该研究采用在器件中加入场效应层的方法 来提高硅纳米晶中的电子传输效率,从而提高了硅纳米晶的电致发光强度。本研究在p型硅衬底上制备三种不同结构的样品,从而引入场效应,比较不同样品之间的EL强度,得出场效应方法 增强硅纳米晶电致发光的强度。

关 键 词：硅纳米晶 场效应 电致发光 I-V曲线 

分 类 号：O43[机械工程—光学工程]