垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用  

Effect of Vertical Emitter Ballasting Resistors on the Emitter Current Crowding Effect in Heterojunction Bipolar Transistors

作　　者：常玉春[1] 崔洪峰 王金忠[1] 宋俊峰[1] HailinLuo Y.Wang 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子科学和工程学院 [2]香港科技大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第6期624-627,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 1);国家重大基础研究 (No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助项目

摘　　要：在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率Epitaxial emitter ballasting resistors are incorporated into power heterojunction bipolar transistors (HBTs) to improve thermal stability.It is proposed that this lightly doped layer can not only function as ballasting resistors used in multi finger power HBT cells,but also reduce the emitter current crowding effect very efficiently.

关 键 词：垂直发射极 HBT 异质结双极晶体管 镇流电阻 电流集边效应 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]