金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管器件结构的改进  

作　　者：陈家荣[1] 

机构地区：[1]贵州民族学院计算机与信息工程学院,贵州贵阳550001

出　　处：《科技创新导报》2012年第13期105-106,共2页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：本文采用Schrodinger方程与统计力学方程联立的方法,研究了金属/AlGaN/GaN异质结横向肖特基二极管正极电流分布不均匀的现象,提出了缓解电流集边效应的二极管结构的改进。

关 键 词：金属/AlGaN/GaN肖特基异质结器件 二维电子气 电流集边效应 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]