提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法  

作　　者：舒梅[1] 

机构地区：[1]贵州电子信息职业技术学院,贵州凯里556000

出　　处：《科技资讯》2007年第24期233-234,共2页Science & Technology Information

摘　　要：本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量。

关 键 词：大功率开关晶体管 正偏二次击穿 电流集边效应 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]