胡礼忠

作品数:1被引量:4H指数:1
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供职机构:大连理工大学物理与光电工程学院物理系更多>>
发文主题:MOCVD系统氧化锌薄膜半导体材料金属有机化学气相沉积载流子浓度更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《发光学报》更多>>
所获基金:吉林大学青年教师基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N_2和掺NH_3特性比较被引量:4
《发光学报》2004年第2期143-146,共4页常玉春 杨晓天 王金忠 王新强 刘博阳 刘大力 胡礼忠 杜国同 
国家自然科学基金(60176026;6017707);国家"863"计划(2001AA311130);吉林大学青年教师基金
利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N_2和NH_3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究。掺N_2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29 eV,半峰全宽~100 meV,电阻率由0.65Ω·cm...
关键词:金属有机化学气相沉积 氧化锌薄膜 半导体材料 氮气掺杂 氨气掺杂 载流子浓度 
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