LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管  

InGaAs/InP PIN photodiodes fabricated by LP-MOCVD

作　　者：刘宝林[1] 黄美纯[1] 陈朝[1] 陈丽容[1] 陈龙海[1] 杨树人[1] 陈伯军[1] 王本忠[1] 范爱英[1] 李正庭[1] 刘式墉[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,吉林大学电子工程系集成光电子国家联合重点实验室

出　　处：《半导体光电》1995年第4期348-351,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：福建省自然科学基金

摘　　要：采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。Planar In/InGaAs/InP heterostructure photodiodes are fabricated using LP-MOCVD.The 75 μm diameter device with a PN junction formed by Zn diffusion shows low dark current of 8￣13 nA at bias voltage of -6V.The breakdown voltage is 60 V(1 μA) and the range of spectral response is λ=0. 90￣1.70μm and photodiode response is 0.56 A/W at the 1.3 μm wavelength.

关 键 词：半导体器件 半导体工艺 光电二极管 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学] TN305