大带宽半导体光学放大器的理论分析  

Theory Analysis for Semiconductor Optical Amplifier with Large 3dB Bandwidth

作　　者：张瑞英[1] 董杰[1] 张靖[1] 冯志伟[2] 王圩[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京100083 [2]长春光机学院,长春130022

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第9期941-946,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究 (编号 :G2 0 0 0 0 683 -1);国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 )资助项目~~

摘　　要：提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大的偏振不灵敏模式增益 .Graded strained bulk like structure as semiconductor optical amplifier active region is proposed for the first time.Large band width and polarization insensitivity characteristics for such active structure are analyzed from the point of its gain spectra and energy band diagram.Graded tensile strain induced in the active structure is to enhance the TM mode material gain,obtain polarization insensitivity,expand the bandwidth for TE mode gain,and relax the limitation for the stripe width.Unstrained layer induced is primarily used to enhance the polarization insensitive mode gain and improve the active region crystal quality.

关 键 词：半导体光学放大器 渐变应变 偏振不灵敏 3DB带宽 SOA 增益谱 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]