刘志宏

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：半导体光放大器偏振不灵敏磷化铟垂直腔面发射激光器垂直腔面发射更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第3期567-570,共4页王书荣 王圩 刘志宏 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 田慧良 
国家重点基础研究发展计划(编号:G20000683 1);国家自然科学基金(批准号:90101023)资助项目~~
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏...
关键词：压应变InGaAs量子阱 张应变InGaAs准体材料 半导体光放大器 偏振灵敏度 增益 饱和输出功率 
Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs
《Journal of Semiconductors》2004年第8期898-902,共5页王书荣 刘志宏 王圩 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 王鲁峰 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 -1);国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 2 3 )资助项目~~
A semiconductor optical amplifier gate based on tensile strained quasi bulk InGaAs is developed.At injection current of 80mA,a 3dB optical bandwidth of more than 85nm is achieved due to dominant band filling effect...
关键词：semiconductor optical amplifier gate wide bandwidth polarization  insensitive tensile  strained quasi  bulk InGaAs fiber  to  fiber lossless operation current extinction ratio 
A 1.3μm Low-Threshold Edge-Emitting Laser with AlInAs-Oxide Confinement Layers
《Journal of Semiconductors》2004年第6期620-625,共6页刘志宏 王圩 王书荣 赵玲娟 朱洪亮 周帆 王鲁峰 丁颖 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :90 10 10 2 3 )~~
A 1.3μm low-threshold edge-emitting AlGaInAs multiple-quantum-well(MQW) laser with AlInAs-oxide confinement layers is fabricated.The Al-contained waveguide layers upper and low the active layers are oxidized as curre...
关键词：AlInAs-oxide confinement RWG edge emitting LASER 
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