抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究  被引量:1

Theoretical Study on Polarization Insensitivity Improvement of Semiconductor Optical Amplifiers by Antireflection Coating Designing

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作  者:黄黎蓉[1] 李含辉[2] 胡振华[1] 黄永箴 黄德修[1] 

机构地区:[1]华中科技大学光电子工程系,湖北武汉430074 [2]武汉船舶通信研究所,湖北武汉430079 [3]中国科学院半导体所光电研发中心,北京100083

出  处:《中国激光》2003年第7期633-636,共4页Chinese Journal of Lasers

基  金:国家973项目资助课题(编号:G2000036605);863计划资助课题(2002AA312130)

摘  要:通过理论分析和计算表明,适当地增加反射率,在同样的工作电流下,半导体光放大器(SOA)的增益将有所增大。合理地调节抗反膜的折射率和厚度,可以使TM模的反射率R_(TM)在一段波长范围内大于TE模的反射率R_(TE)。这样的反射率分布可以相对提高TM模的增益,在一定程度上改善SOA的偏振不灵敏性。通过抗反膜的设计来辅助解决偏振不灵敏的问题,可以使SOA在有源区和波导设计中获得更大的灵活性,更好地兼顾其他的性能要求。Theoretical analysis and calculations indicate that the gain of a semiconductor optical amplifier (SOA) will increase if reflectivity increases appropriately. By selecting appropriate refractive index and thickness of the antireflection film, the reflectivity of TM mode is larger than that of TE mode in a range of wavelength, such a reflectivity distribution can increase the gain of TM mode relatively, improve the polarization insensitivity of SOA and give SOA more flexibility in designing active region and waveguide to meet the requirements needed by other performances.

关 键 词:薄膜物理学 半导体光放大器 偏振不灵敏 抗反膜 反射率 

分 类 号:TN248.1[电子电信—物理电子学]

 

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