Design of Tensile Strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.55μm Polarization Independent Semiconductor Optical Amplifier  

1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计(英文)

作　　者：邱伟彬[1] 何国敏[2] 董杰[1] 王圩[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京100083 [2]厦门大学物理系,厦门361005

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第1期11-17,共7页半导体学报（英文版）

摘　　要：The theoretical optimization of tensile strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.55μm windows polarization-independent semiconductor optical amplifier is reported.The valence-band structure of the MQW is calculated by using k·p method,in which 6×6 Luttinger effective-mass Hamiltonian is taken into account.The polarization dependent optical gain is calculated with various well width,strain,and carrier density.优化设计了 1.5 5 μm In Ga As P/In Ga As P张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构 .利用 k· p方法计算了多量子阱的价带结构 ,计算中考虑了 6× 6有效质量哈密顿量 .从阱宽、应变、注入载流子密度等方面计算了量子阱模式增益的偏振相关性 .

关 键 词：semiconductor optical amplifier polarization independence MQW 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]