Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE  

利用MOVPE选区外延生长InGaAsP(英文)

作　　者：邱伟彬[1] 董杰[1] 王圩[1] 周帆[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第4期342-346,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :90 10 10 2 3 )~~

摘　　要：The wide stripe (15μm) selective area growth (SAG) of InGaAsP by low pressure MOVPE is systematically investigated.The characteristics of the growth ratios,thickness enhancement factors,bandgap modulation,and composition modulation vary with the growth conditions such as mask width,growth pressure.Flux of Ⅲ group precursors are outlined and the rational mechanism behind SAG MOVPE is explained.In addition,the surface spike of the SAG InGaAsP is shown and the course of it is given by the variation of Ⅴ/Ⅲ.研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、 族源流量的变化规律 ,给出了合理的解释 .同时研究了不同 / 比下选择性生长 In Ga As P表面尖角的性质 .

关 键 词：SAG MOVPE INGAASP edge spike Ⅴ/Ⅲ ratio 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]