InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化  

作　　者：邱伟彬[1] 董杰[1] 朱洪亮[1] 周帆[1] 王圩[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,

出　　处：《激光与光电子学进展》2001年第9期56-56,共1页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12)

关 键 词：外延生长 InGaAsP材料 厚度增强因子 MOVPE生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]