Spotsize Converter Integrated DFB Laser Diode Using Selective Area Growth of MOCVD  

选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件(英文)

作　　者：邱伟彬[1] 王圩[1] 董杰[1] 张静媛[1] 周帆[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第5期459-463,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：The characteristics of thickness enhancement fact or and bandgap wavelength of selectively grown InGaAsP are investigated.A high thi ckness enhancement factor of 2.9 is obtained.Spotsize converter integrated DFB lasers are fabricated by using the technique of SAG.The threshold current is as low as 10.8mA.The output power is 10mW at 60mA without coating and the SMSR is 35.8dB.The vertical far field angle (FWHM) is decreased from 34° to 9°.The to lerance of 1dBm misalignment is 3.4μm vertically.研究了利用选择外延生长的 In Ga As P材料的厚度增强因子和带隙波长的性质 ,最大的厚度增强因子为 2 .9.利用选择外延技术研制的 DFB激光器和模斑转换器的集成器件 ,阈值为 10 .8m A,在 60 m A下输出功率为 10 m W,边模抑制比为 3 5 .8d B,垂直方向上的远场发散角从 3 4°减少到 9°,垂直方向上的 1d B偏调容差为 3 .4 μm.

关 键 词：SAG butt-joint spotsize converter DFB 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]