增益耦合

作品数：14被引量：26H指数：3
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相关机构：中国科学院云南大学清华大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
相关期刊：《中国激光》《物理学报》《云南大学学报（自然科学版）》《光通信研究》更多>>
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DFB半导体激光器中增益耦合型光栅结构的优化被引量：1
《光通信研究》2018年第3期28-31,共4页李嘉恒 余建国 陈远祥 李依桐 王任凡 罗飚 
国家“八六三”计划资助项目(2015AA016901)
分布反馈（DFB）半导体激光器具有结构简单、频谱稳定等优点,在光通信领域具有十分广泛的应用。DFB激光器在大电流条件下容易产生空间烧孔效应,会导致单模特性不稳定。为了抑制空间烧孔效应,文章采用三相移以及节距调节（CPM）与分布耦...
关键词：烧孔效应 增益耦合 CPM-DCC光栅结构 
非统一多量子阱波长可选DFB激光器被引量：3
《中国激光》2012年第10期6-10,共5页谢红云 霍文娟 江之韵 路志义 张万荣 
国家自然科学基金(61006044;60776051;61006059);北京市自然科学基金(4122014;4082007);北京市教委科技发展计划(KM200910005001;KM200710005015)资助课题
报道了一种单片集成的串联DFB激光器芯片,在合适工作条件下,可以在疏波分复用(CWDM)的两个信道波长激射。芯片通过非统一多量子阱有源区拓宽材料增益谱,给DFB激光器的纯折射率光栅引入弱增益耦合,提高DFB激光器的动态单模特性。芯片采...
关键词：激光器 波长可选 非统一量子阱 弱增益耦合 单片集成 
消逝波增益耦合球形微腔中的受激拉曼散射
《云南民族大学学报（自然科学版）》2011年第5期406-408,416,共4页普小云 陈天江 
国家自然科学基金(60877037);云南省高校科技创新团队支持计划资助项目
针对球形微腔能否将腔外介质的拉曼增益耦合到腔内,并在微腔回音壁模式的支持下形成腔外介质的受激拉曼辐射的问题,通过石英球腔在纯水中的受激拉曼散射实验,首次观察到水的拉曼增益确实可以通过消逝场耦合进入球腔,并在腔内形成拉曼光...
关键词：微型球腔 回音壁模式 消逝场 受激拉曼散射 
消逝波激励及增益耦合的柱形微腔回音廊模激光辐射被引量：12
《中国激光》2007年第7期920-923,共4页江楠 王东林 普小云 
国家自然科学基金(10564005);云南省应用基础研究基金(2006A0001M)资助项目
毛细管的折射率比溶液的折射率高,石英毛细管在被插入的溶液中形成圆柱形微腔。采用近轴向消逝波抽运的方法,使激光的染料增益局限于抽运光在染料区的消逝场范围内,极大地提高了消逝波耦合柱形微腔的抽运效率。与侧向抽运方式比较,柱形...
关键词：激光技术 光学柱形微腔 回音廊模 消逝波激励 阈值抽运能量 
消逝场增益耦合微型球腔的光散射理论研究
《云南大学学报（自然科学版）》2005年第6期504-508,共5页王亚丽 陈天江 普小云 
国家自然科学基金资助项目(10174060;10564005);云南省自然科学基金资助项目(2003A0009R)
采用米氏光散射理论,计算了微型球腔中口哨廊模(WGMs)的场强分布.对球腔浸入不同折射率的液体介质后的场强分布,WGMs的消逝场模体积占总场模体积的比值(η值),WGMs的品质因素(Q值)等重要参数做了计算和分析.结果表明:随着球腔和环境介...
关键词：口哨廊模 消逝场 模体积比 品质因素 
10Gbit/s高T_0无制冷分布反馈激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1616-1618,共3页赵玲娟 朱洪亮 张静媛 周帆 王宝军 边静 王鲁峰 田慧良 王圩 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312150)~~
与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了...
关键词：分布反馈激光器 单纵模激光器 增益耦合 
吸收光栅增益耦合DFB-LD电路模型被引量：1
《光电子．激光》1999年第1期9-13,共5页陈维友 刘式墉 
国家自然科学基金
本文以激光器单模速率方程为基础，针对ＤＦＢ－ＬＤ推导了光子寿命与激光器内部损耗及端面出射损耗的关系，以及端面出射光功率与平均光子密度的关系，给出吸收光栅（ＡＧ）增益耦合（ＧＣ）ＤＦＢ－ＬＤ电路模型。
关键词：吸收光栅 增益耦合 DFB-LD 电路模型 激光器 
1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第10期793-797,共5页陈博 王圩 张静媛 汪孝杰 周帆 朱洪亮 边静 马朝华 
本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ。
关键词：DFB激光器 增益耦合 应变多量子阱 
1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第7期557-560,共4页罗毅 文国鹏 孙长征 李同宁 杨新民 王任凡 王彩玲 金锦炎 
国家自然科学基金杰出青年基金;"863"高技术计划
本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时...
关键词：光通信 半导体激光器 集成器件 EA调制器 
1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第3期231-235,共5页张济志 王圩 张静媛 汪孝杰 李力 朱洪亮 王志杰 周帆 马朝华 
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ...
关键词：DFB激光器 吸收型 增益耦合 激光器 
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