应变多量子阱

作品数：29被引量：11H指数：1
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兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究
《光学与光电技术》2020年第3期111-118,共8页彭辉 缪庆元 
国家自然科学基金(60877039)资助项目
对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响。进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据...
关键词：混合应变多量子阱 载流子导引 增益 折射率变化 3 dB谱宽交叠区面积 低偏振相关 
混合应变多量子阱实现折射率变化低偏振相关的理论分析
《光学与光电技术》2016年第2期64-69,共6页戴明 缪庆元 何平安 王宝龙 何秀贞 骆意 
国家自然科学基金(60877039)资助项目
考虑温度变化和载流子注入阱间分布不均匀性,给出求解量子阱材料折射率变化的理论分析模型。分析了量子阱应变量大小、阱宽、垒区材料组分和注入载流子浓度对TE模和TM模折射率变化的影响。设计出折射率变化低偏振相关的混合应变多量子...
关键词：多量子阱 混合应变 折射率变化 载流子导引 偏振相关 
氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)
《红外与毫米波学报》2008年第4期317-320,共4页曹萌 吴惠桢 劳燕峰 曹春芳 刘成 
the National Natural Science Foundation of China (10474020)
采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增...
关键词：离子注入 光致发光 量子阱互混 
刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性
《光学学报》2007年第3期494-498,共5页曹萌 吴惠桢 劳燕锋 刘成 谢正生 
国家重点基础研究计划(973计划;2003CB314903)的资助课题。
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱...
关键词：光学材料 应变多量子阱 干法刻蚀 损伤 光致发光 
干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期467-470,共4页曹萌 吴惠桢 劳燕锋 刘成 谢正生 曹春芳 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)
采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得...
关键词：干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤 
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究被引量：1
《物理学报》2007年第2期1027-1031,共5页曹萌 吴惠桢 刘成 劳燕锋 黄占超 谢正生 张军 江山 
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2003CB314903)资助的课题~~
采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强.干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同...
关键词：干法刻蚀 应变多量子阱 光致发光谱 损伤 
离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
《功能材料信息》2006年第3期7-11,共5页吴惠桢 曹萌 劳燕锋 刘成 谢正生 曹春芳 
国家重点基础研究计划(973计划)资助项目(2003CB314903)
采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面...
关键词：半导体 刻蚀 应变多量子阱 损伤 
ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第1期178-182,共5页曹萌 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 刘成 张军 江山 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~
为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深...
关键词：干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤 
混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性被引量：1
《光子学报》2003年第12期1453-1455,共3页段子刚 
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段 平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。
关键词：SOA 偏振无关 TM模增益 混合应变量子阱 
内建电场对应变多量子阱带阶的影响被引量：1
《微纳电子技术》2003年第7期19-21,共3页许丽萍 
山西省自然科学基金项目资助;山西省归国留学人员基金资助项目;总装基金办基金资助项目
隧穿电流的大小依赖于带阶的大小。内建电场会改变多量子阱的结构 ,使其由方阱变为斜阱 ,导致其带阶发生改变。本文定量地给出了由内建电场导致的价带阶变化及其斜率。对沿任意方向生长的立方超晶格系统 ,当其特征厚度小于临界值 (欠临...
关键词：内建电场 应变 多量子阱 带阶 隧穿电流 
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