干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响  

Influence of Etching on the Luminescence Characteristic of Strained InAsP/InGaAsP Multiple Quantum Wells

作　　者：曹萌[1,2] 吴惠桢[1] 劳燕锋[1,2] 刘成[1,2] 谢正生[1,2] 曹春芳[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期467-470,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)

摘　　要：采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.

关 键 词：干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]