MOCVD生长

作品数：215被引量：321H指数：8
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MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管
《人工晶体学报》2025年第2期312-318,共7页郁鑫鑫 沈睿 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2...
关键词：氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值 
MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究
《人工晶体学报》2024年第9期1608-1619,共12页吴蕊 胡洋 唐荣芬 阳倩 王序 吴怡逸 聂登攀 王环江 
国家自然科学基金(22262008);贵州省基础研究计划(自然科学)(ZK[2021]051);贵州省科技计划项目([2020]4Y014,[2020]1Y406,[2021]YB484,[2023]YB349);贵州省科学协会专题和研究课题(YZ2023001);贵州省教育厅自然科学研究项目(QJJ[2022]159)。
本文利用量子化学的密度泛函理论(DFT),研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长ZnO薄膜过程中二乙基锌(DEZn)与叔丁醇(t-BuOH)体系的气相寄生反应机理。通过计算不同温度下反应路径的Gibbs自由能变化,从热力学角度详细分析关键中间产物(...
关键词：氧化锌 金属有机化学气相沉积 密度泛函理论 寄生反应 薄膜 二聚物 
MOCVD生长的中红外高功率量子级联激光器
《发光学报》2024年第5期794-799,共6页杨鹏昌 李曼 孙永强 程凤敏 翟慎强 刘峰奇 张锦川 
国家自然科学基金(61991430,62235016,12393830,62327813)。
量子级联激光器(QCL)是中远红外波段的优质光源,具有体积小、重量轻、电光转化效率高等诸多优势,在传感、通信和国防等领域有重要的应用前景。金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为更高效的外延方式,应发展适用于QCL的MOCVD外延生长...
关键词：量子级联激光器 中红外 高功率 金属有机物化学气相沉积 
MOCVD生长AlN单晶薄膜的气相和表面化学反应综述
《化工学报》2023年第7期2800-2813,共14页何晓崐 刘锐 薛园 左然 
国家自然科学基金项目(61474058)。
作为第三代半导体材料的代表,AlN单晶具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子饱和迁移率高等特点,被广泛应用于紫外和深紫外发光器件的制造。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是生长AlN单晶薄膜最主要的技术。由于Al—N键在三种Ⅲ族氮化物(Al...
关键词：ALN MOCVD 化学反应 自由基 计算流体力学 计算化学 
MOCVD生长InN气相反应路径的量子化学研究被引量：1
《化工学报》2022年第12期5638-5647,共10页何晓崐 薛园 左然 
国家自然科学基金项目(61474058)。
利用量子化学的密度泛函理论,对MOCVD生长InN的气相反应路径进行较全面的计算分析,通过计算不同温度下各反应的Gibbs能差和反应能垒,分别从热力学和动力学角度确定从TMIn/NH_(3)生长InN的主要气相反应路径。研究发现:当载气为N_(2)时,In...
关键词：密度泛函 INN 气相反应 MOCVD 自由基 
用于中波红外探测的InAsP/InAsSb超晶格的MOCVD生长和表征
《红外与毫米波学报》2022年第6期995-1001,共7页怀运龙 朱虹 朱赫 刘家丰 李萌 刘振 黄勇 
国家自然科学基金(61874179,62074156,11874390)。
提出了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长无Ga且应力平衡的InAsP/InAsSb超晶格,并探索了其作为红外吸收材料的可行性。首先采用k·p理论计算了InAsP/InAsSb超晶格的带隙,发现其波长调节范围可以从中波红外到长波红外。然后通过MOCVD...
关键词：金属有机化学气相沉积 InAsP/InAsSb超晶格 中波红外 
MOCVD生长的瓦级中波红外高功率量子级联激光器被引量：3
《光学学报》2022年第22期105-110,共6页孙永强 费腾 黎昆 郭凯 张锦川 卓宁 刘俊岐 王利军 刘舒曼 贾志伟 翟慎强 刘峰奇 王占国 
国家重点研发计划(2020YFB0408401);北京市科技计划课题(Z201100004020006)。
基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术实现了室温连续(CW)输出功率达到瓦级的中波红外量子级联激光器(QCL)。通过MOCVD生长条件优化,实现了高界面质量双声子共振结构材料生长,制备出室温CW功率最高为1.21 W的4.6μm QCL。具体研究了...
关键词：激光器 中红外 量子级联激光器 金属有机物化学气相沉积 高功率 连续输出 
基于MOCVD生长的4.6μm中红外量子级联激光器被引量：5
《红外与激光工程》2022年第6期179-184,共6页庞磊 程洋 赵武 谭少阳 郭银涛 李波 王俊 周大勇 
中红外量子级联激光器在红外对抗、痕量气体检测、自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景,采用MOCVD生长量子级联激光器的方法具有生产效率高、可做再生长、便于多组分生长等优点。报道了可室温连续波工作的中红外量子级联激光器,波长...
关键词：中红外 量子级联激光器 金属有机物化学气相沉积 掺杂优化 连续波工作 
面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备
《红外与毫米波学报》2022年第2期420-424,共5页刘丽杰 赵有文 黄勇 赵宇 王俊 王应利 沈桂英 谢辉 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61904175)。
采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧...
关键词：砷化铟 衬底 表面清洗 全反射X射线荧光光谱 X射线光电子能谱 
InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长被引量：4
《发光学报》2021年第4期448-454,共7页王旭 王海珠 张彬 王曲惠 范杰 邹永刚 马晓辉 
吉林省科技发展计划(20190302052GX)资助项目。
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究。针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组...
关键词：金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAsP 应变补偿 多量子阱 晶格失配 
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