云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MOCVD外延

MOCVD外延: 作品数：19被引量：22H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李晋闽闫建昌王军喜芦秀玲邓军更多>>; 相关机构：中国科学院吉林大学中国科学院大学南京大学更多>>; 相关期刊：《液晶与显示》《稀有金属材料与工程》《半导体光电》《半导体技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划哈尔滨工业大学校基金资助更多>>

MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管: 《人工晶体学报》2025年第2期312-318,共7页郁鑫鑫沈睿于含张钊赛青林陈端阳杨珍妮谯兵周立坤李忠辉董鑫张洪良齐红基陈堂胜; 国家重点研发计划(2022YFB3605504)。; 本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2...; 关键词：氧化镓 MOCVD外延掺杂比导通电阻击穿电压功率优值

高Al组分AlGaN/AlN/GaN量子级联结构的MOCVD外延研究: 《电子技术（上海）》2024年第1期1-4,共4页吴粤川邓文娟; 国家自然科学基金(61961001)。; 阐述高Al组分差的GaN/AlN/AlGaN量子级联紫外-红外双色探测结构的设计,并用MOCVD外延实现过程。通过MOCVD监控分析GaN/AlN/AlGaN量子级联结构生长状况,发现外延AlGaN层的整体Al组分偏低。随后用SEM观测样品表面形貌存在凸起,从截面测量...; 关键词：电子器件设计量子级联 MOCVD 紫外-红外探测 SEM 高Al组分

切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备被引量：2: 《人工晶体学报》2023年第6期1007-1015,共9页汪正鹏张崇德孙新雨胡天澄崔梅张贻俊巩贺贺任芳芳顾书林张荣叶建东; 国家重点研发计划(2022YFB3605403);国家自然科学基金(62234007,62293521,U21A20503,U21A2071);广东省重点研发计划(2020B010174002)。; 本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇...; 关键词：超宽禁带半导体氧化镓薄膜金属有机物化学气相沉积日盲紫外光电探测器切割角外延

不同Mo层厚度的AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构上MOCVD外延GaN被引量：2: 《发光学报》2023年第6期1077-1084,共8页李嘉豪韩军邢艳辉董晟园王冰辉任建华曾中明张宝顺邓旭光; 国家自然科学基金(61731019);北京市自然科学基金(4202010)。; 采用脉冲直流磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构薄膜,在该结构上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术进行GaN薄膜的外延。使用原子力显微镜、高分辨X射线衍射、粉末X射线衍射、扫描电子显微镜和拉曼光...; 关键词：GAN 金属有机化学气相沉积(MOCVD) ScAlN X射线衍射

4英寸GaN衬底MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料研究分析被引量：1: 《标准科学》2023年第S01期210-214,共5页高楠房玉龙王波张志荣尹甲运芦伟立陈宏泰牛晨亮; 本文对金属有机物化学气相淀积法在4英寸GaN衬底上生长出的高质量AlGaN/GaN HEMT外延材料进行了研究分析。生长过程采用NH_(3)/H_(2)混合气体及H_(2)交替通入的方法对衬底表面进行了预处理,阻隔了界面杂质的扩散。得益于衬底与外延的高...; 关键词：GaN衬底 AlGaN/GaN HEMT

热氧化对MOCVD外延GaN薄膜光学特性影响的实验研究: 《光电子技术》2021年第4期303-307,共5页陈柯宇咸冯林徐林华郑改革匡文剑裴世鑫; 江苏省自然科学基金青年基金(BK20180784)。; 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在600℃下在蓝宝石衬底上外延生长了GaN薄膜,研究了热氧化温度对GaN薄膜的微观结构和光学特性的影响。实验表明600℃生长的GaN薄膜结晶质量较差,随着热氧化温度逐渐增加,GaN薄膜的结晶质量逐渐提高,...; 关键词：氮化镓薄膜金属有机化学气相沉积热氧化光学特性

基于MOCVD外延超薄氧化镓薄膜的高性能日盲和X射线探测器(特邀)被引量：2: 《光子学报》2021年第10期203-214,共12页钟天晟于舜杰赵晓龙丁梦璠梁方舟方师张中方侯小虎孙海定徐光伟胡芹龙世兵; 国家自然科学基金(Nos.61925110,U20A20207,61821091,62004184,62004186,51961145110);中国科学院战略性先导研究项目(No.XDB44000000);中国科学院前沿科学重点研究计划(No.QYZDB-SSW-JSC048);广东省重点领域研究与发展计划(No.2020B010174002);中央高校基本科研业务费专项资金(Nos.WK2100000014,WK2100000010);中国博士后科学基金项目(Nos.2020M671895,BX20200320)。; 为了顺应光电探测器和阵列小尺寸、多功能、高密度集成的发展趋势,报告了一种基于超薄氧化镓(Ga2O3)制成的高性能日盲和X射线双功能探测器。基于金属有机化合物化学气相沉淀法,通过高温下的精细生长调控,实现了较薄厚度(70 nm)的高质量G...; 关键词：光电探测器双功能探测 MOCVD 氧化镓 X射线日盲紫外

GaN HEMT器件的AlN缓冲层MOCVD外延生长研究: 《舰船电子对抗》2020年第5期116-120,共5页倪洪亮吴金星; 探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,...; 关键词：GAN高电子迁移率晶体管 ALN缓冲层金属有机化学气相沉淀脉冲原子层外延

生长温度对MOCVD外延Zn O纳米结构的影响被引量：3: 《发光学报》2018年第10期1425-1430,共6页徐德前庄仕伟马雪徐佳新张宝林; 国家自然科学基金(61574069)资助项目~~; 为了探究生长温度对外延Zn O纳米结构的影响,得到Zn O纳米结构可控生长的生长温度条件。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,设计并获得了不同生长温度的Zn O外延样品,并对所有样品进行了表面形貌、光学特性、电学特性表征和结晶质量...; 关键词：ZNO MOCVD 生长温度纳米结构

980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化被引量：3: 《半导体光电》2016年第4期518-523,共6页李岩李建军邓军韩军; 国家自然科学基金项目(61204011;11204009);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018);北京市自然科学基金项目(4142005); 为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Al0.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaA...; 关键词：半导体激光器 MOCVD 量子阱波导层生长温度

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