INGAASP/GAAS

作品数：7被引量：19H指数：4
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对915nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究被引量：6
《光学学报》2022年第1期192-198,共7页何天将 井红旗 朱凌妮 刘素平 马骁宇 
国防科技重点基金(6142405041803)。
高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性。为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉...
关键词：激光器 高功率半导体激光器 快速热退火 量子阱混杂 光学灾变损伤 非吸收窗口 
大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器的直流和1/f噪声性质被引量：5
《中国激光》2008年第8期1144-1148,共5页张爽 郭树旭 郜峰利 郭欣 曹军胜 于思瑶 
国家自然科学基金(60471009);吉林省重大科技发展计划(200403001-4)资助项目
对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究.DC检测发现,V-I和IdV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断.LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值BV(I)∝IβV.理论分析...
关键词：激光器 半导体激光器 可靠性 1/f噪声 直流特性 电流泄漏 
液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究被引量：4
《兵工学报》2001年第2期214-217,共4页杨进华 高欣 李忠辉 吴根柱 张兴德 
用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关键词：液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率 
InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究被引量：2
《中国激光》2000年第8期687-690,共4页杨进华 任大翠 张剑家 杜宝勋 张兴德 
用改进的液相外延方法 L PE 生长了无铝的 In Ga As P/Ga As分别限制单量子阱半导体激光器 ,测量其远场分布近似为高斯分布 .用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型 ,并简单解释了其生成原因 。
关键词：半导体激光器 单量子阱 INGAASP/GAAS 
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
《功能材料与器件学报》2000年第3期232-235,共4页李忠辉 张宝顺 杨进华 张兴德 王向武 
设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～7...
关键词：LP-MOCVD INGAASP/GAAS 量子阱激光器 
InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延被引量：5
《中国激光》1998年第1期21-24,共4页薄报学 朱宝仁 张宝顺 高欣 任大翠 张兴德 
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大连续输出功率达到２...
关键词：液相外延 半导体激光器 激光器结构 
InGaAsP/GaAs激光泵浦的石榴石晶片激光器
《国外激光》1990年第8期12-13,共2页晴天 
早先进行的理论和实验研究确定了谱线均匀增宽激活介质的非单体固体环形激光器迎面波竞争相互作用和振荡状态的许多有效腔内控制法(参阅综述)此外,在制造可用于泵浦自由振荡和锁模 YAG:Nd^(3+)固体环形激光器的半导体发光二极管和激光...
关键词：INGAASP/GAAS 激光泵浦 晶片激光器 
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