液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究  

A STUDY ON HIGH-QUALITY HIGH POWER InGaAsP/ GaAs LASERS GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY

作　　者：杨进华[1] 高欣[1] 李忠辉[1] 吴根柱[1] 张兴德[1] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《兵工学报》2001年第2期214-217,共4页Acta Armamentarii

摘　　要：用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。High power InGaAsP/GaAs semiconductor lasers have been grown by liquid phase epitaxy. Measurements and theoretical analysis showed that the SQW SCH grown by the method is of high quality and is in good agreement with the design.

关 键 词：液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]