张兴德

作品数：15被引量：17H指数：3
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供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文主题：半导体激光器高功率激光器分子束外延阈值电流密度更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光学学报》《半导体光电》《兵工学报》《发光学报》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金吉林省科技发展计划基金更多>>
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大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究
《固体电子学研究与进展》2003年第1期11-13,共3页李忠辉 高欣 李梅 王玲 张兴德 
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W...
关键词：InGaAsP/InGaP/GaAs 分别限制异质结构 单量子阱 无铝激光器 大功率量子阱激光器 测试 
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响被引量：3
《半导体光电》2002年第2期90-91,95,共3页李忠辉 李梅 王玲 高欣 王玉霞 张兴德 
利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
关键词：分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率 
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
《发光学报》2002年第1期90-92,共3页李忠辉 王玉霞 高欣 李梅 王玲 张兴德 
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
关键词：梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物 
980 nm高功率列阵半导体激光器被引量：1
《光电子技术与信息》2001年第6期28-30,共3页曲轶 高欣 薄报学 张兴德 石家纬 
吉林省科技发展计划资助项目
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ，１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室...
关键词：高功率列阵 半导体激光器 分子束外延 
940nm列阵窗口半导体激光器被引量：1
《光电子．激光》2001年第8期825-826,共2页李辉 李军 曲轶 薄报学 张兴德 
本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出 In Ga As/Ga As应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器 ,准连续 (5 0 0μs,10 0 Hz)输出功率达到 80 W(室温 ) ,峰值...
关键词：分子束外延 列阵窗口 半导体激光器 
液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究被引量：4
《兵工学报》2001年第2期214-217,共4页杨进华 高欣 李忠辉 吴根柱 张兴德 
用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关键词：液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率 
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器被引量：5
《半导体光电》1999年第6期388-389,392,共3页高欣 曲轶 薄报学 张宝顺 张兴德 
国防科工委;高功率半导体激光国家重点实验室资助项目!(98JS36.3 .1;CS3602)
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
关键词：半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度 
MBE生长高功率半导体激光器
《半导体光电》1999年第5期366-368,共3页曲轶 高欣 张宝顺 薄报学 张兴德 
对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连...
关键词：半导体激光器 高功率半导体激光器 分子束外延 激光器阵列 
808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨被引量：1
《光电子．激光》1999年第6期580-581,共2页高欣 曲轶 薄报学 王晓华 张兴德 
高功率半导体激光国家重点实验室资助课题
对８０８ ｎｍ 无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ半导体激光器进行可靠性筛选实验，给出了器件老化前后的工作特性及其变化情况；讨论器件工作特性变化甚至失效的可能原因，并给出在进行器件筛选实验时的初步判据。用工作电流的变化率来对...
关键词：半导体激光器 可靠性 筛选 激光器 
外延技术在半导体激光器中的应用
《长春光学精密机械学院学报》1998年第1期7-10,共4页刘国军 张千勇 杨晗 夏伟 张兴德 薄报学 朱宝仁 寻立春 李学谦 张宝顺 王玲 王玉霞 
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面...
关键词：高功率 半导体激光器 量子阱 外延 LPE CVD MBE 
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