MBE生长高功率半导体激光器  

High power semiconductor lasers grown by MBE

作　　者：曲轶[1] 高欣[1] 张宝顺[1] 薄报学[1] 张兴德[1] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《半导体光电》1999年第5期366-368,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了６０ Ｗ（ｔ＝ ２００ μｓ，ｆ＝ ５０ Ｈｚ） ，峰值波长为８０８ ．４ ｎｍ 。Analysis is made on various factors that influence the quality of GaAs and AlGaAs grown by MBE.GaAlAs/GaAs materials with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE.The experimental results show that sample's quality has reached design requirement.QCW output power of array laser diodes is up to 60 W with the peak wavelength of 808.4 nm.

关 键 词：半导体激光器 高功率半导体激光器 分子束外延 激光器阵列 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]